Πρωτοποριακή τεχνολογία αποθήκευσης από την Crossbar
Νέα τεχνολογία μπορεί να δώσει 1TB non-volatile μνήμης με μέγεθος όσο ένα γραμματόσημο!
Οι μέχρι στιγμή πρωτοποριακές τεχνολογίες όσον αφορά την αποθήκευση έχουν συνδεθεί με τα ονόματα Samsung και Intel (σύντομα) με την πρώτη να διαθέτει ήδη την τεχνολογία 3D Vertical NAND στην αγορά με τον 850 EVO SSD που στην ουσία επιτρέπει μεγάλες χωρητικότητες σε πολύ μικρό μέγεθος χάρη στον stackable χαρακτήρα που έχουν τα cells της μνήμης. Τα 3D Vertical NAND χαρακτηρίζονται και από την πρακτικότητα (λόγω χώρου) και την ταχύτητά τους όμως τι θα λέγατε για κάτι ακόμη πιο αποδοτικό;
Η εταιρεία με το όνομα Crossbar, ξεκίνησε το 2010 και παρουσίασε στα τέλη του 2014 μια νέα τεχνολογία αποθήκευσης ονόματι RRAM (resistive random access memory) η οποία είναι non-volatile, δηλαδή κρατάει τα δεδομένα χωρίς να χρειάζεται να διαπερνάται από φορτίο (current). Η μνήμη stack-άρεται σε σχήμα κύβου και επεκτείνεται στις τρεις διαστάσεις, έχοντας θεωρητική χωρητικότητα 1TB ανά chip. Η Crossbar έπειτα έπρεπε να ξεπεράσει τα προβλήματα στην ανάπτυξη όπως το current leakage το οποίο αποτελεί αρνητικό παράγοντα κυρίως για την κατανάλωση ενώ θα μπορούσε να αναστείλει πλήρως την ανάπτυξη! Οι μηχανικοί βρήκαν την λύση που ακούει στο όνομα 1 Transistor Driving n Resistive memory cell ή απλά 1TnR και η οποία συνδέει 2,000 cells μνήμης σε έναν ημιαγωγό (transistor). Με αυτή την τεχνική, η Crossbar κατάφερε να ξεπεράσει το πρόβλημα του current leakage και έτσι οι υψηλής χωρητικότητας SSD δίσκοι είναι δυνατό να εμφανιστούν σχετικά σύντομα.
Η τεχνολογία RRAM της Crossbar κρύβει πολλά μυστικά για το μέλλον της αποθήκευσης έχοντας μικρότερο μέγεθος απ' ότι οι 3D Vertical NAND της Samsung και σίγουρα μένουν ακόμα ορισμένες ατέλειες που θα πρέπει να διορθωθούν. Και αν νομίζετε ότι η υλοποίηση θα αργήσει να εμφανιστεί τότε να τονίσουμε πως η Crossbar σκοπεύει να "λανσάρει" τις εν λόγω μνήμες μέσα στο 2016 (στη καλύτερη) σύμφωνα με τις πληροφορίες του Digital Trends.
Οι μέχρι στιγμή πρωτοποριακές τεχνολογίες όσον αφορά την αποθήκευση έχουν συνδεθεί με τα ονόματα Samsung και Intel (σύντομα) με την πρώτη να διαθέτει ήδη την τεχνολογία 3D Vertical NAND στην αγορά με τον 850 EVO SSD που στην ουσία επιτρέπει μεγάλες χωρητικότητες σε πολύ μικρό μέγεθος χάρη στον stackable χαρακτήρα που έχουν τα cells της μνήμης. Τα 3D Vertical NAND χαρακτηρίζονται και από την πρακτικότητα (λόγω χώρου) και την ταχύτητά τους όμως τι θα λέγατε για κάτι ακόμη πιο αποδοτικό;
Η εταιρεία με το όνομα Crossbar, ξεκίνησε το 2010 και παρουσίασε στα τέλη του 2014 μια νέα τεχνολογία αποθήκευσης ονόματι RRAM (resistive random access memory) η οποία είναι non-volatile, δηλαδή κρατάει τα δεδομένα χωρίς να χρειάζεται να διαπερνάται από φορτίο (current). Η μνήμη stack-άρεται σε σχήμα κύβου και επεκτείνεται στις τρεις διαστάσεις, έχοντας θεωρητική χωρητικότητα 1TB ανά chip. Η Crossbar έπειτα έπρεπε να ξεπεράσει τα προβλήματα στην ανάπτυξη όπως το current leakage το οποίο αποτελεί αρνητικό παράγοντα κυρίως για την κατανάλωση ενώ θα μπορούσε να αναστείλει πλήρως την ανάπτυξη! Οι μηχανικοί βρήκαν την λύση που ακούει στο όνομα 1 Transistor Driving n Resistive memory cell ή απλά 1TnR και η οποία συνδέει 2,000 cells μνήμης σε έναν ημιαγωγό (transistor). Με αυτή την τεχνική, η Crossbar κατάφερε να ξεπεράσει το πρόβλημα του current leakage και έτσι οι υψηλής χωρητικότητας SSD δίσκοι είναι δυνατό να εμφανιστούν σχετικά σύντομα.
Η τεχνολογία RRAM της Crossbar κρύβει πολλά μυστικά για το μέλλον της αποθήκευσης έχοντας μικρότερο μέγεθος απ' ότι οι 3D Vertical NAND της Samsung και σίγουρα μένουν ακόμα ορισμένες ατέλειες που θα πρέπει να διορθωθούν. Και αν νομίζετε ότι η υλοποίηση θα αργήσει να εμφανιστεί τότε να τονίσουμε πως η Crossbar σκοπεύει να "λανσάρει" τις εν λόγω μνήμες μέσα στο 2016 (στη καλύτερη) σύμφωνα με τις πληροφορίες του Digital Trends.
Δεν υπάρχουν σχόλια