Η Samsung ξεκινάει τις αποστολές αρθρωμάτων EUV RAM

H συζήτηση για τη RAM δεν αφορά μόνο στο πόση RAM διαθέτει ένας υπολογιστής αλλά και ποιο είδος RAM χρησιμοποιεί. Για παράδειγμα, υπάρχουν αρθρώματα RAM τύπου LPDDR3 και νεώτερα τύπου LPDDR5 κ.ο.κ. Συνήθως τα πιο νέα είναι και "καλύτερα" σε σχέση με τις επιδόσεις, την αποδοτικότητα, τις βελτιώσεις κτλ.

Φαίνεται ότι η Samsung προχωράει στο επόμενο επίπεδο, καθώς η εταιρεία ανακοίνωσε ότι ξεκίνησαν τις αποστολές των πρώτων αρθρωμάτων μνήμης τεχνολογίας 10nm DDR4 DRAM που κατασκευάζονται με τη μέθοδο EUV (Extreme Ultraviolet). Η συγκεκριμένη μέθοδος είναι ίσως ό,τι πιο εξελιγμένο υπάρχει σήμερα και χρησιμοποιείται ακόμα και στην κατασκευή των chips των υπολογιστών.

Ένα από τα σημαντικότερα πλεονεκτήματα της μεθόδου αυτής είναι ότι χρησιμοποιεί φως με απίστευτα μικρό μήκος κύματος, ώστε να αποτυπώσει το σχεδιασμό του chip πάνω στο πυρίτιο. Σε αντίθεση με τα "παραδοσιακά" lasers, αυτή η μέθοδος θα επιτρέψει στη Samsung να δημιουργεί chips με ακόμα λεπτότερα κυκλώματα, επομένως και με μεγαλύτερη πυκνότητα.

Αυτή η διαδικασία οδηγεί σε chips που είναι ταχύτερα αλλά και πιο αποδοτικά. Παρ' όλα αυτά, ίσως χρειαστεί κάποιο διάστημα μέχρι να δούμε αρθρώματα EUV DDR4 RAM στα ράφια των καταστημάτων. Η Samsung αναμένει την ετοιμότητα ενός δεύτερου εργοστασίου στο δεύτερο μισό του 2020, ενώ θα ξεκινήσουν και τη μαζική παραγωγή αρθρωμάτων DDR5 το 2021.

Timeline of Samsung DRAM Milestones

Date	Samsung DRAM Milestones
2021 (TBD)	4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production
March 2020	4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development
September 2019	3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production
June 2019	2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production
March 2019	3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development
November 2017	2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production
September 2016	1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production
February 2016	1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production
October 2015	20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production
December 2014	20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production
December 2014	20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production
October 2014	20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production
February 2014	20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production
February 2014	20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production
November 2013	20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production
November 2012	20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production
September 2011	20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production
July 2010	30nm-class 2Gb DDR3 mass production
February 2010	40nm-class 4Gb DDR3 mass production
July 2009	40nm-class 2Gb DDR3 mass production